Американская корпорация Intel, южнокорейская Samsung и японская Toshiba совместно работают над созданием новых технологий, которые позволят значительно сократить размеры чипов. Тройка, в частности, планирует вдвое уменьшить толщину полупроводников и довести ее до 10 нанометров. Такие чипы могут поступить в производство уже к 2016 году.
Samsung и Toshiba (первый и второй в мире производители флэш-памяти типа NAND соответственно) вместе с Intel, крупнейшим производителем микросхем, в ближайшее время намерены сформировать консорциум и пригласить в него около 10 компаний, работающих в области получения сырья для выпуска полупроводников и смежных отраслях.
Первую половину первоначальных инвестиций в проект (около 61 миллиона долларов) внесет министерство экономики, торговли и промышленности Японии, а вторую половину - члены консорциума, сообщает Reuters со ссылкой на японскую газету Nikkei daily.
Toshiba и Samsung планируют воспользоваться разработанными технологиями для производства 10-нанометровых чипов флэш-памяти типа NAND, а Intel - для создания более производительных микропроцессоров.
Также по теме:
Gartner: емкость мирового рынка полупроводников вырастет на 31,5%
Intel приобрела у Infineon компанию по производству чипов
Samsung показала рост прибыли в III квартале
Новые разработки Intel сделают нетбуки мощнее и тоньше
Toshiba отложит строительство двух заводов по производству микросхем
