Ученые из корпорации International Business Machines (IBM) объявили о создании революционной технологии компьютерной памяти на фазовых переходах (PCM). Как сообщается в пресс-релизе, она записывает и считывает данные со скоростью в сто раз быстрее, чем широко распространенная сегодня флеш-память.
Технология PCM основана на специальном сплаве, который под воздействием электрического заряда может принимать разные физические состояния. Новый тип памяти может использоваться в любых типах аппаратов - от корпоративных серверов до мобильных устройств.
Один из недостатков флеш-памяти заключается в том, что одноуровневая ячейка позволяет хранить только один бит данных. В отличие от нее PCM может "помещать" в одну ячейку четыре бита. В документе указывается, что память на фазовых переходах сможет сделать загрузку компьютеров практически моментальной, а также существенно повысит производительность и эффективность работы IT-систем.
"Кроме того, PCM в отличие от Flash очень надежна и может выдержать по крайней мере 10 миллионов циклов записи ", - отмечается в пресс-релизе. Для сравнения, флеш-память для корпоративных систем способна выполнить порядка 30 тысяч циклов записи, а для потребительского сектора - около 3 тысяч. Инженеры IBM надеются, что к 2016 году новая технология приведет к "смене парадигмы" в системах хранениях данных, в том числе "облачных".
Также по теме:
В России хотят создать фабрику инновационных чипов памяти
Intel анонсировала революционную технологию изготовления чипов
В смартфонах теперь поместится больше памяти
Intel показала "сверхнадежные" чипы для серверов
Цены на микрочипы подскочили из-за катаклизмов в Японии
